Методы анализа поверхности, Часть 1, Методы локального анализа и электронная микроскопия, Ищенко А.А., Лукьянов А.Е., 2021

Методы анализа поверхности, Часть 1, Методы локального анализа и электронная микроскопия, Ищенко А.А., Лукьянов А.Е., 2021.

   Необходимость развития новейших технологий обусловила актуальность методов анализа поверхности и межфазных границ (внутренних поверхностей). Роль анализа поверхности и межфазных границ в современной аналитической химии велика, поскольку он позволяет получить информацию о фундаментальных химических процессах, происходящих на поверхности: коррозии, адсорбции, хемосорбции, окислении, пассивации, диффузии, сегрегации, а также о реакционной способности веществ. В настоящее время для анализа поверхности и межфазных границ реально используют более 30 методов, около 15 из них считаются основными. Наиболее значимыми методами, широко используемыми в промышленности, являются рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, электронная оже-спектроскопия, масс-спектрометрия вторичных ионов и спектроскопия резерфордовского обратного рассеяния, используемые для анализа состава поверхности; растровая электронная микроскопия для исследования морфологии поверхности, аналитическая электронная микроскопия для анализа межфазных границ, ИК- и КР-спектроскопия для молекулярного поверхностного и межфазного анализа. Соответствующая группа методов исследования получила название «методы локального анализа и анализа поверхности» (МЛААП). В учебном пособии наиболее подробно изложены экспериментальные и теоретические основы электронной микроскопии - одного из наиболее востребованных инструментальных методов исследования и анализа.
Предназначено для магистров направлений подготовки 04.04.01 Химия и 18.04.01 Химическая технология, аспирантов 04.06.01 Химические науки, специализирующихся в области аналитической, физической химии и 22.06.01 Технологии материалов.




РАЗРУШАЮЩИЕ МЕТОДЫ.
В разрушающих методах локального анализа и анализа поверхности реализована идея локального пробоотбора. Основным «инструментом» чаше всего является селективное травление. В качестве примера рассмотрим прием, называемый разложением в газовой фазе. В настоящее время он широко используется для исследования поверхностных загрязнений кремниевых пластин в микроэлектронике.

Скорость травления поверхности диоксида кремния в плавиковой кислоте превосходит скорость травления монокристаллического кремния примерно в 2000 раз. Учитывая реальную толщину (около 5 нм) образца диоксида кремния, можно утверждать, что за время полного стравливания SiO2 практически не происходит травления самого кремния. Из-за высокой стоимости пластины и последующих технологических операций необходим контроль качества исходной пластины. После контроля она должна быть пригодна для дальнейших технологических операций. Схема метода представлена на рис. 5.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
АННОТАЦИЯ.
ВВЕДЕНИЕ.
1. НЕРАЗРУШАЮЩИЕ МЕТОДЫ.
2. РАЗРУШАЮЩИЕ МЕТОДЫ.
3. ПЕРСПЕКТИВЫ И ПРОБЛЕМЫ МЛААП.
4. ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ.
4.1. Основные понятия.
4.2. Просвечивающая и сканирующая электронная микроскопия.
4.3. Электронные и ионные микроскопы.
4.4. Современные сканирующие (растровые) электронные микроскопы.
4.5. Теоретические основы метода.
4.6. Рентгеновский микроанализ.
4.7. Аналитическая электронная микроскопия.
КОНТРОЛЬНЫЕ ЗАДАНИЯ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Методы анализа поверхности, Часть 1, Методы локального анализа и электронная микроскопия, Ищенко А.А., Лукьянов А.Е., 2021 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - pdf - Яндекс.Диск.




Хештеги: #учебник по химии :: #химия :: #Ищенко :: #Лукьянов