Приведены задачи по основным разделам курсов - «Физика полупроводников», «Твердотельная электроника», «Оптоэлектроника», которые включают: химические связи в полупроводниках, статистику электронов и дырок в полупроводниках, кинетические явлений в полупроводниках, неравновесные носители заряда в полупроводниках, контактные явления, биполярные транзисторы, униполярные транзисторы, туннельные явления и приборы, пролетные явления и приборы, междолинный перенос электронов, электрон-фононное взаимодействие и акустоэлектронику, сверхрешетки, квантово-размерные эффекты и наноэлектронику, поглощение и излучение в полупроводниках и оптоэлектронику. Каждый раздел сопровождается кратким изложением теоретического материала, приводятся основные соотношения и формулы, необходимые при решении задач. В каждом из разделов даются примеры решения задач. В конце приводятся ответы решений задач по разделам.
Для студентов радиофизического факультета по специальностям “Радиофизика и электроника”, “Физическая и биомедицинская электроника”.
Статистика электронов и дырок в полупроводниках.
В состоянии термодинамического равновесия при заданной температуре существует определенное распределение электронов по различным квантовым состояниям. В результате в кристалле устанавливается определенная концентрация свободных электронов n в зоне проводимости и концентрация свободных дырок p в валентной зоне. Кроме того, в кристалле, содержащем локальные уровни энергий (примесные атомы и структурные дефекты), могут быть еще отрицательно заряженные акцепторы и положительно заряженные доноры, на которых в Каждой единице объема могут находиться связанные электроны и дырки.
Вычисление этих концентраций подвижных и связанных носителей заряда составляет основную задачу статистики электронов и дырок в кристаллах. Задача распадается на две части: чисто квантовомеханическую - нахождение числа возможных квантовых состояний в зонах и статистическую - определение фактического распределения электронов по этим квантовым состояниям при термодинамическом равновесии.
СОДЕРЖАНИЕ.
Предисловие.
1. Кристаллическая решетка и типы химических связей.
2. Статистика электронов и дырок в полупроводниках.
3. Кинетические явления в полупроводниках.
3.1. Электропроводность.
3.2. Гальваномагнитные явления.
3.3. Термоэлектрические явлении.
4. Неравновесные носители заряда в полупроводниках.
5. Контактные явления.
6. Биполярные приборы.
7. Униполярные приборы.
8. Туннельные явления и приборы.
9. Пролетные эффекты и приборы.
10. Междолинный перенос электронов.
11. Электрон-фононное взаимодействие, акустоэлектроника.
12. Квантово-размерные эффекты и приборы, сверхрешетки.
13. Оптические свойства полупроводников.
14. Процессы поглощения в полупроводниках и приборы на их основе.
15. Процессы излучения из полупроводников.
Источники излучения.
ОТВЕТЫ.
ПРИЛОЖЕНИЕ.
ПРИЛОЖЕНИЕ 2.
ПРИЛОЖЕНИЕ 3.
Список Литературы.
Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Задачи по твердотельной электронике, Аркуша Ю.В., Белецкий Н.И., Прохоров Э.Д., 2004 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.
Скачать djvu
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу
Скачать - djvu - Яндекс.Диск.
Дата публикации:
Хештеги: #учебник по электронике :: #электроника :: #электротехника :: #Аркуша :: #Белецкий :: #Прохоров
Смотрите также учебники, книги и учебные материалы:
Следующие учебники и книги:
- Примеры и задачи по статистической радиотехнике, Горяинов В.Т., Журавлёв А.Г., Тихонов В.И., 1970
- Теория электрических цепей, Сборник задач, Попов В.П., 2019
- Теоретические основы электротехники, Сборник задач, Потапов Л.А., 2019
- Основы теории цепей, Сборник задач, Попов В.П., Семенцов В.И., 2019
Предыдущие статьи:
- Сборник задач по надежности электрических машин, Кузнецов Н.Л., 2008
- Теоретические основы электротехники, Сборник задач, Коровкин Н.В., Селина Е.Е., Чечурин В.Л., 2006
- Сборник задач и практикум по основам теории электрических цепей, Бычков Ю.А., Золотницкий В.М., Чернышев Э.П., 2007
- Задачник по электронным приборам, Терехов В.А., 2016