Электронные приборы, Червяков Г.Г., Прохоров С.Г., Шиндор О.В., 2012

Электронные приборы, Червяков Г.Г., Прохоров С.Г., Шиндор О.В., 2012.
 
   Приведены основы физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Рассмотрены физические процессы, протекающие в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике. Даны: классификации, параметры и характеристики существующих на рынке элементов твердотельной электроники, включая экспериментальные и опытные приборы микроволнового и оптического диапазонов на новых принципах и современных технологиях.
Описаны преобразовательные приборы, использующие различные эффекты в полупроводниковых материалах.
Приведены задания для самостоятельной работы и примеры инженерных расчетов с использованием эквивалентных электрических схем транзистора.
Учебное пособие по дисциплине «Электронные приборы» предназначено для направления подготовки 200100 Приборостроение.
Данное пособие может быть полезным для студентов всех инженерных направлений, в том числе и радиотехнического профиля, а также студентов физических факультетов.




Зонная структура полупроводников.
В твердом теле атомы или ионы находятся на расстояние порядка атомного радиуса, поэтому в нем происходит непрерывный переход валентных электронов от одного атома к другому. Такой электронный обмен может привести к образованию ковалентной связи, если электронные оболочки атомов сильно перекрываются и переходы электронов происходят быстро, т.е. валентные электроны становятся общими для обоих атомов. Эта картина полностью применима к германию (Gc), кремнию (Si) и большинству полупроводников. В твердом теле энергетические уровни атомов расщепляются на ряд новых энергетических уровней, энергии которых близки друг к другу. На каждом из этих уровней, согласно принципу Паули, могут находиться только два электрона, как и в отдельном атоме. Совокупность уровней, на каждом из которых могут присутствовать электроны, называют разрешенной зоной. Промежутки между разрешенными зонами носят название запрещенных зон.

Разрешенная зона характеризуется тем, что все уровни ее при 0 К заполнены электронами. Верхняя заполненная зона называется валентной. Зона проводимости характеризуется тем, что электроны, находящиеся в ней, обладают энергиями, позволяющими им освобождаться от связи с атомами и передвигаться внутри твердого тела, например под воздействием электрического поля.

СОДЕРЖАНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ.
1. ОСНОВЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.
1.1. Зонная структура полупроводников.
1.2. Электронно-дырочный переход.
1.3. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода.
1.4. Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода.
1.5. Контакты металла с полупроводником.
1.6. Контакты между полупроводниками с одинаковыми типами проводимости.
2. ДИОДЫ.
2.1. Классификация диодов.
2.2. Эквивалентная электрическая схема р-n-перехода.
2.3. Выпрямительные диоды.
2.4. Высокочастотные диоды.
2.5. Импульсные диоды.
2.6. Мезадиоды.
2.7. Стабилитроны.
2.8. Параметрический стабилизатор напряжения.
2.9. Варикап.
2.10. Диод Шоттки.
2.11. Туннельный диод.
2.12. Лавинно-пролетные диоды и диоды Ганна.
3. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ.
3.1. Классификация.
3.2. Общие сведения.
3.3. Принцип работы транзистора.
3.4. Три схемы включения транзистора.
3.5. Вольт-амперные характеристики транзистора в схеме включения с общей базой.
3.6. Эквивалентная электрическая схема транзистора с ОБ.
3.7. Вольт-амперные характеристики транзистора с ОЭ.
3.8. Транзистор как линейный четырехполюсник.
3.9. Физические факторы, ограничивающие частотный диапазон транзистора.
3.10. Разновидности биполярных транзисторов.
3.11. Зависимость параметров транзисторов от режима и температуры.
3.12. Работа транзистора в ключевом режиме.
3.13. Структура и принцип действия тиристоров.
4. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ И ПЗС.
4.1. Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом.
4.2. МДП-транзисторы.
4.3. Основные параметры МДП-транзистора.
4.4. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью.
4.5. Способы формирования видеосигнала.
4.6. Приборы с зарядовой инжекцией.
5. БИПОЛЯРНЫЕ И ПОЛЕВЫЕ СВЧ-ТРАНЗИСТОРЫ.
5.1. Биполярные СВЧ-транзисторы.
5.2. Полевые СВЧ-транзисторы.
5.3. Сверхбыстродействующие транзисторы.
5.4. Состояние и перспективы развития элементной базы и технологии полупроводниковой электроники.
5.5. Приборы на квантово-размерных эффектах.
6. ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ.
6.1. Полупроводниковые источники излучения.
6.2. Светоизлучающие диоды.
6.3. Лазеры.
6.4. Электролюминесцентные и пленочные излучатели.
6.5. Внутренний фотоэффект и фотоприборы.
6.6. Термисторы с отрицательным температурным коэффициентом.
6.7. Позисторы.
6.8. Варисторы.
6.9. Полупроводниковые гальваномагнитные эффекты и приборы.
6.10. Тензоэлектрические полупроводниковые приборы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ТЕСТЫ.
Приложение. Расчет динамического режима работы биполярного транзистора по переменному току.
Список литературы.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Электронные приборы, Червяков Г.Г., Прохоров С.Г., Шиндор О.В., 2012 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - pdf - Яндекс.Диск.




Хештеги: #учебник по электронике :: #электроника :: #электротехника :: #Червяков :: #Прохоров :: #Шиндор :: #радиотехника :: #транзистор :: #диод