Наноэлектроника, Часть 2, Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А., 2019

Наноэлектроника, Часть 2, Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А., 2019.

   Серия «Университеты России» позволит высшим учебным заведениям нашей страны использовать в образовательном процессе учебники и учебные пособия по различным дисциплинам, подготовленные преподавателями лучших университетов России и впервые опубликованные в издательствах университетов. Все представленные в этой серии учебники прошли экспертную оценку учебно-методического отдела издательства и публикуются в оригинальной редакции.
Предлагаемое вниманию читателя учебное пособие состоит из двух частей. В пособии делается попытка систематического изложения основных свойств наноэлектронных структур. В первой части обсуждаются особенности энергетического спектра частиц в системах пониженной размерности, анализируется изменение плотности состояний и обсуждаются проблемы экранирования электрического поля в структурах пониженной размерности. Во второй части рассматриваются особенности фотонного спектра в структурах пониженной размерности, приводятся теоретические и экспериментальные результаты исследований транспортных явлений в наноэлектронных структурах, рассматриваются вопросы построения приборов на основе наноэлектронных структур.
Пособие предназначено для студентов, магистрантов и аспирантов, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Оно может быть рекомендовано тем желающим систематизировать свои знания в области физических основ наноэлектроники.




ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ В СИСТЕМАХ С СЕЛЕКТИВНЫМ ЛЕГИРОВАНИЕМ.
Как отмечалось ранее, достижению предельного быстродействия электронных устройств мешает рассеяние частиц в реальных системах. Поэтому важной задачей физики и технологии твердого тела является совершенствование материалов и структур с целью получения больших времен жизни, малых вероятностей рассеяния, высокой подвижности и управляемой концентрации носителей заряда. Одна из проблем, возникающих при этом, состоит в том, что носители заряда в полупроводниках создаются введением примесей и тем самым обычно ограничивается увеличение времени жизни и увеличивается рассеяние.

Как отмечалось в гл. 1, увеличение подвижности носителей заряда может быть достигнуто в системах с модулированным или селективным легированием. Гетероструктуры с селективным легированием (ГСЛ) представляют собой системы с неоднородным распределением легирующих атомов и с гетерограницами, направляющими движение подвижных носителей заряда и разделяющими носители заряда и примеси. С этой точки зрения, методика селективного легирования полупроводниковых структур представляет собой способ обхода ограничении, связанных с влиянием примесей на характеристики подвижных носителей.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Глава 6. Особенности фононного спектра в системах пониженной размерности.
6.1. Дисперсионные зависимости фононов в полупроводниковых сверхрешетках.
6.2. Свертка ветвей акустических фононов.
6.3. Локализация фононов.
6.4. Интерфейсные фононы.
Список литературы.
Глава 7. Транспортные явления.
7.1. Стационарная дрейфовая скорость.
7.2. Всплеск во времени дрейфовой скорости при воздействии электрического поля.
7.3. Баллистический транспорт в полупроводниках и субмикронных приборах.
7.4. Подвижность электронов в системах с селективным легированием.
7.5. Особенности электрон-фононного взаимодействия в системах пониженной размерности.
7.6. Рассеяние электронов в 2D-системах.
7.7. Особенности рассеяния квазидвумерных электронов в сверхрешетках.
7.8. ТермоЭДС в квазидвумерных системах.
7.9. Асимметричные наноструктуры в магнитном поле.
7.10. Эффект Ааронова — Бома.
Список литературы.
Глава 8. Туннелирование через квантово-размерные структуры.
8.1. Туннелирование через двухбарьерную структуру с квантовой ямой.
8.2. Вольт-амперная характеристика многослойных структур.
8.3. Экспериментальное исследование вольт-амперных характеристик двухбарьерных квантовых структур.
8.4. Диапазон рабочих частот двухбарьерной квантовой структуры.
Список литературы.
Глава 9. Проблемы одноэлектроники.
9.1. Теоретические основы одноэлектроники.
9.2. Реализация одноэлектронных приборов.
9.3. Применение одноэлектронных приборов.
Список литературы.
Глава 10. Тенденции создания нанотранзистора.
Список литературы.
Глава 11. Проблемы полупроводниковой элементной базы квантовою компьютера.
11.1. Квантовый компьютер на ядерных спинах в кремнии.
11.2. Квантовый компьютер на электронном спиновом резонансе в структурах Ge—Si.
11.2.1. Отличия квантового компьютера с электронным спиновым резонансом.
11.2.2. Конструкция ЭСР кубита.
11.2.3. Однокубитные операции.
11.2.4. Двухкубитные операции.
11.2.5. Детектирование спинового резонанса МДП-транзисторами.
11.2.6. Влияние ориентации подложки кремния.
Список литературы.

Купить .



Хештеги: #учебник по нанотехнологии :: #нанотехнология :: #Драгунов :: #Неизвестный :: #Гридчин :: #наноэлектроника