Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии, Учебно-методическое пособие, Дирко В.В., Коханенко А.П., 2023

Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии, Учебно-методическое пособие, Дирко В.В., Коханенко А.П., 2023.

   Приведено описание установки по молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) кремния и германия, представлены этапы подготовки полупроводниковых пластин и проведения эпитаксии на установке «Катунь-100». Даны общие сведения о применении метода дифракции быстрых отраженных электронов (ДБОЭ) при эпитаксии. Метод позволяет in sim исследовать морфологию поверхности при эпитаксиальном росте. Подробно рассмотрены возможности использования метода ДБОЭ для определения скоростей роста эпитаксиального материала, для анализа особенностей осцилляций интенсивности дифракционных картин при изменении ориентации подложки. Описан анализ изменения поверхности при МЛЭ с помощью метода дифракции быстрых отраженных электронов. Учебное пособие содержит описание трех практических работ на установке «Катунь-100» с использованием метода ДБОЭ: измерение скорости роста эпитаксиального материала Si на подложке Si(OOl) в азимутальном направлении [110] методом ДБОЭ; измерение скорости роста материала Si на подложке Si (100) в азимутальном направлении [100] методом ДБОЭ; измерение скорости роста материала Ge на подложке Si(001) в азимутальном направлении [110] методом ДБОЭ. Пособие предназначено для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов, а также специалистов в области оптоэлектроники.




Молекулярно-лучевая эпитаксия.
Установка МЛЭ состоит из нескольких вакуумных камер. На рис. 1 представлено изображение высоковакуумной установки МЛЭ «Катунь-100» (производство ИФП СО РАН. Россия), состоящей из камеры загрузки и камеры эпитаксии с блоком управления.

Камера загрузки необходима для предварительного обезгаживания поверхности подложек путем создания в ней вакуума <10-8 Торр и последующего перемещения подложки в камеру эпитаксии без нарушения вакуума и чистоты подложки.

В камере загрузки одновременно может размещаться несколько подложек, а их перемещение осуществляется на каретке с помощью манипуляторов и вводов вращения. Предварительный вакуум создается за счет вакуумного поста с турбомолекулярным насосом, а наличие системы дегазации камеры эпитаксии, магниторазрядных насосов на каждой камере, сублимационного насоса и криопанелей позволяет поддерживать давление при эпитаксиальном росте структур на уровне <10–10 Торр.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Введение.
1. Молекулярно-лучевая эпитаксия.
1.1. Предэпитаксиальная подготовка Si подложек.
1.2. Режимы эпитаксиального роста.
2. Метод дифракции быстрых отраженных электронов.
2.1. Схема установки дифракции быстрых отраженных электронов.
2.2. Построение картин дифракции быстрых отраженных электронов.
2.3. Определение скоростей роста эпитаксиального материала методом дифракции быстрых отраженных электронов.
2.4. Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при изменении ориентации подложки.
2.5. Анализ поверхности с помощью метода дифракции быстрых отраженных электронов.
3. Подготовка пластин кремния и проведение молекулярно-лучевой эпитаксии.
3.1. Подготовка подложек Si (001) и Si (111).
3.2. Порядок работы с установкой МЛЭ «Катунь–100».
3.3. Работа с программным обеспечением VideoWizard v.7.
4. Задания для практической работы.
4.1. Измерение скорости роста эпитаксиального материала Si на подложке Si(001) в азимутальном направлении [110] методом дифракции быстрых отраженных электронов.
4.2. Измерение скорости роста материала Si на подложке Si (100) в азимутальном направлении [100] методом дифракции быстрых отраженных электронов.
4.3. Измерение скорости роста материала Ge на подложке Si(001) в азимутальном направлении [110] методом дифракции быстрых отраженных электронов.
Литература.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии, Учебно-методическое пособие, Дирко В.В., Коханенко А.П., 2023 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - pdf - Яндекс.Диск.




Хештеги: #учебник по электронике :: #электроника :: #электротехника :: #Дирко :: #Коханенко