МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники, Акчурин Р.Х., Мармалюк А.А., 2018

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники, Акчурин Р.Х., Мармалюк А.А., 2018.

   В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) - одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.
Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV. AIIBVI и твердых растворов на их основе - основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.




ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА МЕТОДА.
Метод МОСГЭ основан на получении ЭС полупроводниковых соединений и их твердых растворов с использованием газовой смеси, содержащей в качестве источников (прекурсоров) осаждаемого вещества различные комбинации МОС и гидридов (основные свойства источников, используемых при МОСГЭ полупроводников AIIIBV и AIIBVI, приведены в разделе 4). Первые сообщения об использовании МОС для синтеза и эпитаксиального осаждения полупроводников появились в 60-е годы прошлого века [1—3]. Последующий прогресс в развитии МОСГЭ отражен в [4—13].

Использование МОС дает ряд преимуществ. К примеру, относительно низкие температуры их пиролиза позволяют существенно снизить температуры проведения технологических процессов в сравнении с традиционными методами газофазной эпитаксии — хлоридным и хлоридно-гидридным. Отсутствие в системе агрессивных газовых продуктов, таких как НС1, облегчает задачи выбора используемых в технологической установке конструкционных материалов и дает возможность свести к минимуму толщину переходных слоев, способных образовываться в ГС за счет подтравливания поверхности роста. Ряд характерных особенностей метода отражен в табл. 1.1.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Введение.
Глава 1. Общая характеристика метода.
Литература.
Глава 2. Термодинамические и кинетические аспекты МОСГЭ.
Литература.
Глава 3. Массоперенос.
Приложение.
Литература.
Глава 4. Источники, используемые для получения ЭС AIIIBV и AIIBVI.
4.1. Источники основных компонентов ЭС.
4.1.1. МОС-источники.
4.1.2. Гидридные источники.
4.2. Источники легирующих примесей.
4.3. Чистота источников. Основные фоновые примеси в ЭС.
4.4. Разработка альтернативных источников для МОСГЭ.
4.4.1. Новые источники АIII.
4.4.2. Новые источники BV.
4.5. Меры безопасности при проведении процессов МОСГЭ.
Литература.
Глава 5. Механизмы и кинетика химических реакций.
5.1. Пиролиз источников.
5.2. Реакции химического взаимодействия.
Литература.
Глава 6. Процессы на поверхности роста.
Литература.
Глава 7. Оборудование МОСГЭ.
Литература.
Глава 8. Моделирование МОСГЭ.
Литература.
Глава 9. МОСГЭ полупроводников AIIIBV.
9.1. Общая характеристика полупроводников AIIIBV.
9.1.1. Соединения АIIIN и твердые растворы на их основе.
9.1.2. Соединения АIIIP, АIIIAs и твердые растворы на их основе.
9.1.3. Соединения AIIISb и твердые растворы на их основе.
Литература.
9.2. Практические аспекты роста эпитаксиальных слоев и гетероструктур.
9.2.1. Бинарные соединения.
9.2.2. Трехкомпонентные твердые растворы.
9.2.3. Четырехкомпонентные твердые растворы.
9.2.4. Легирование.
9.2.5. Получение низкоразмерных гетероструктур.
9.2.6. Управление упругими напряжениями.
Литература.
9.3. Получение ЭС полупроводников AIIIBV.
9.3.1. Соединения AIIIN и твердые растворы на их основе.
Литература.
9.3.2. Соединения AIIIP, AIIIAs и твердые растворы на их основе
Литература.
9.3.3. Соединения AIIISb и твердые растворы на их основе.
Литература.
9.3.4. Новые композиции на основе AIIIBV.
Литература.
Глава 10. МОСГЭ полупроводников AIIBVI.
10.1. Общая характеристика полупроводников AIIBVI.
10.1.1. Широкозонные полупроводники AIIBVI.
10.1.2. Узкозонные полупроводники AIIBVI.
10.2. Получение ЭС полупроводников AIIBVI методом МОСГЭ.
10.2.1. ZnO и твердые растворы на его основе.
10.2.2. ZnS, ZnSe и твердые растворы на их основе.
10.2.3. ZnTe, СdTe и твердые растворы на их основе.
10.2.4. Hg1-xCdxTe.
Литература.
Глава 11. Другие классы материалов.
11.1. SiC.
11.2. Ge и GexSbyTez.
11.3. (BiSb)-(TeSe).
11.4. Оксиды.
Литература.

Купить .



Хештеги: #учебник по электронике :: #электроника :: #электротехника :: #Акчурин :: #Мармалюк