наноэлектроника

Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники, Кузнецов Ф.А., 2013.

В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании МО CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Си, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости.

Микросистемные датчики физических величин, Монография в двух частях, Вавилов В.Д., Тимошенков С.П., Тимошенков А.С., 2018.

В книге изложены современные принципы построения, методы расчета и проектирования микро системных датчиков физических величин и измерительных систем на их основе. Приведены примеры разработок новых изделий. Направления «Электроника и наноэлектроника». «Радиотехника», «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», «Информатика и вычислительная техника». «Конструирование и технология электронных средств» предназначены для студентов. Также книга может быть полезной студентам смежных специальностей, аспирантам, инженерам и научным работникам, связанным с созданием первичных приборов информации на интегральных принципах.

Современные устройства и элементы наноэлектроники, Бунтов В.В., Вохминдев А.С., Штанг Т.В., 2020.

   В пособии рассмотрены физические основы, а также основные типы современных и перспективных элементов наноэлектроники. Особое внимание уделено полевым транзисторам с индуцированным каналом (МОП), их масштабированию и побочным эффектам миниатюризации. Рассмотрены краткие теоретические сведения и задания для практических занятий по разделам, не нашедшим отражения в основной части пособия.
Настоящее пособие может быть использовано в учебных целях в вузах физического, приборостроительного и электротехнического профилей.

Физико-технологические основы макро-, микро, и наноэлектроники, Барыбин А.А., Томилин В.И., Шаповалов В.И., 2011.

  Настоящая книга является существенно переработанным и дополненным вариантом ранее изданного учебного пособия), написанного по материалам курса лекций, читаемого двумя соавторами (А.А. Б. и В.И.Ш.) в Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете (бывшем ЛЭТИ) для студентов факультета электроники. В книге также частично использованы материалы лекционного курса, читаемого третьим соавтором (В.И.Т.) в Сибирском федеральном университете (бывшем КГТУ) и изданного как учебное пособие).
Книга предназначена главным образом для студентов в качестве учебного пособия по физико-технологическим основам макроэлектроники, микроэлектроники и наноэлектроники. Она может оказаться полезной также и специалистам в этих областях, поскольку содержит некоторые вопросы, выходящие за рамки учебной дисциплины, которые могут быть опущены студентами (например, пп. 1.19-1.24, 2.20, 2.21, 4.14-4.17).

Физические основы микро- и наноэлектроники, Дурнаков А.А., 2020.

   Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние р-n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильнолегированных р-n переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.

Физические основы кремниевой наноэлектроники, Зебрев Г.И., 2020.

Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Для преподавателей и студентов, специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов «Физические основы наноэлектроники», «Наноэлектронные технологии», «Физика микроэлектронных структур».

Основы нано- и функциональной электроники, Смирнов Ю.А., Соколов С.В., Титов Е.В., 2013.

   В книге изложены история становления и развития наноэлектроники, физические основы наноструктур и приборов наноэлектроники, физические и микросистемные основы построения элементной базы приборов и устройств направлений развития функциональной электроники (акустоэлектроники, диэлектрической электроники, полупроводниковой электроники, магнитоэлектроники, оптоэлектроники, молекулярной электроники). Пособие содержит контрольные вопросы, задачи с решениями и списки рекомендуемой литературы для углубленного изучения материала.
Предназначено для подготовки бакалавров, магистров и специалистов направлений «Электроэнергетика и электротехника», «Электроника и наноэлектроника», «Радиотехника», «Информационные технологии и системы связи», «Конструирование технологии и микросистемная техника».

Наноэлектроника, элементы, приборы, устройства, Шишкин Г.Г., Агеев И.М., 2015.

В учебном пособии излагаются физические и технологические основы наноэлектроники, в том числе принципы функционирования и характеристики наноэлектронных устройств на базе квантово-размерных структур: резонансно-туннельных, одноэлектронных и спинтронных приборов. Рассматриваются особенности квантовых компьютеров, электронных устройств на сверхпроводниках, а также приборов нанобиоэлектроники. Каждая глава снабжена контрольными вопросами и заданиями для самоподготовки. Для студентов технических вузов, аспирантов, преподавателей и практических специалистов в области электроники.