Коханенко

Расчет параметров инфракрасных фотоприемников с квантовыми точками, Учебно-методическое пособие, Лозовой К.А., Коханенко А.П., Духан Р., Коротаев А.Г., 2023.

Рассмотрено    явление фотопроводимости в полупроводниках. Даны общие сведения о гетероструктурах и различных типах наноструктур. Особое внимание уделено квантовым точкам, их энергетической структуре и оптическим свойствам. Рассмотрены основные принципы работы инфракрасных детекторов, в том числе фотоприемников на квантовых точках. Дана классификация источников шумов в таких устройствах.    Описаны основные параметры, определяющие рабочие характеристики инфракрасных фотодетекторов, и рассмотрены способы их расчета для фотоприемников на квантовых точках. Учебное пособие содержит описание    физико-математических моделей и расчетные задания по моделированию темнового тока и обнаружительной способности фотодетекторов на квантовых точках в различных режимах работы. Пособие предназначено для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов, а также специалистов в области оптоэлектроники.

Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии, Учебно-методическое пособие, Дирко В.В., Коханенко А.П., 2023.

   Приведено описание установки по молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) кремния и германия, представлены этапы подготовки полупроводниковых пластин и проведения эпитаксии на установке «Катунь-100». Даны общие сведения о применении метода дифракции быстрых отраженных электронов (ДБОЭ) при эпитаксии. Метод позволяет in sim исследовать морфологию поверхности при эпитаксиальном росте. Подробно рассмотрены возможности использования метода ДБОЭ для определения скоростей роста эпитаксиального материала, для анализа особенностей осцилляций интенсивности дифракционных картин при изменении ориентации подложки. Описан анализ изменения поверхности при МЛЭ с помощью метода дифракции быстрых отраженных электронов. Учебное пособие содержит описание трех практических работ на установке «Катунь-100» с использованием метода ДБОЭ: измерение скорости роста эпитаксиального материала Si на подложке Si(OOl) в азимутальном направлении [110] методом ДБОЭ; измерение скорости роста материала Si на подложке Si (100) в азимутальном направлении [100] методом ДБОЭ; измерение скорости роста материала Ge на подложке Si(001) в азимутальном направлении [110] методом ДБОЭ. Пособие предназначено для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов, а также специалистов в области оптоэлектроники.