Приведено описание установки по молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) кремния и германия, представлены этапы подготовки полупроводниковых пластин и проведения эпитаксии на установке «Катунь-100». Даны общие сведения о применении метода дифракции быстрых отраженных электронов (ДБОЭ) при эпитаксии. Метод позволяет in sim исследовать морфологию поверхности при эпитаксиальном росте. Подробно рассмотрены возможности использования метода ДБОЭ для определения скоростей роста эпитаксиального материала, для анализа особенностей осцилляций интенсивности дифракционных картин при изменении ориентации подложки. Описан анализ изменения поверхности при МЛЭ с помощью метода дифракции быстрых отраженных электронов. Учебное пособие содержит описание трех практических работ на установке «Катунь-100» с использованием метода ДБОЭ: измерение скорости роста эпитаксиального материала Si на подложке Si(OOl) в азимутальном направлении [110] методом ДБОЭ; измерение скорости роста материала Si на подложке Si (100) в азимутальном направлении [100] методом ДБОЭ; измерение скорости роста материала Ge на подложке Si(001) в азимутальном направлении [110] методом ДБОЭ. Пособие предназначено для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов, а также специалистов в области оптоэлектроники.
