Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники, Старосельский В.И., 2009

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники, Старосельский В.И., 2009.

   Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры, современных приборов микроэлектроники. Для каждого прибора делается краткий обзор современных методов их структурной реализации в интегральных схемах.
Для студентов обучающихся по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника» (210100.62 — бакалавр, 210100.68 - магистр) и по инженерным специальностям 210104.65 «Микроэлектроника и твердотельная электроника», 210108.65 «Микросистемная техника», 010803.65 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», 210601.65 «Нанотехнологии в электронике». Материал книги может быть полезен также научным работникам, инженерам и аспирантам, стремящимся получить необходимые профессиональные знания.




Общий подход к анализу полупроводниковых приборов.
Полупроводниковые приборы являются весьма сложными объектами. Их анализ включает исследование статических характеристик прибора, его работу на высокочастотном гармоническом сигнале или в импульсном режиме, а также синтез моделей, позволяющих описывать поведение прибора в составе электронных устройств обработки информации.

Для определения токов в выводах прибора необходимо найти потоки электронов и дырок через некоторые поверхности, отделяющие электроды от внутренних областей прибора Плотности токов определяются пространственными распределениями концентраций подвижных носителей и напряженности электрического поля (см. разд. 1.4). Уравнения для токов содержат кинетические коэффициенты (подвижности и коэффициенты диффузии частиц), которые являются локальными функциями средней энергии носителей. Таким образом, для определения плотностей тока необходимо найти пространственные распределения концентраций носителей заряда и их средних энергий, а также напряженности электрического поля.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Предисловие редактора Ю. А. Парменова.
Глава I. Основные сведения из физики полупроводников.
Глава II. р-n переходы и полупроводниковые диоды.
Глава III. Транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник.
Глава IV. Биполярные транзисторы.
Глава V. Сравнительный анализ принципов действия и свойств биполярных и полевых транзисторов.
Глава VI. Контакты металл—полупроводник.
Глава VII. Полевые транзисторы с управляющим барьерным переходом.
Глава VIII. Гетеропереходные транзисторы.
ПРИЛОЖЕНИЯ.
Приложение 1. Физические константы.
Приложение 2. Список общих обозначений.
Приложение 3. Свойства некоторых полупроводниковых материалов (Т = 300 К).
Приложение 4. Энергии ионизации примесей в Si, Ge и GaAs.
Приложение 5. Греческий алфавит.
Литература к приложениям 3,4.

Купить .

Купить .



Хештеги: #учебник по физике :: #физика :: #Старосельский :: #полупроводник :: #микроэлектроника :: #электроника