Наноэлектроника, Элементы, приборы, устройства, Шишкин Г.Г., Агеев И.М., 2012

Наноэлектроника, Элементы, приборы, устройства, Шишкин Г.Г., Агеев И.М., 2012.
 
  В учебном пособии излагаются физические и технологические основы наноэлектроники, в том числе принципы функционирования и характеристики наноэлектронных устройств на базе квантово-размерных структур: резонансно-туннельных, одноэлектронных и спинтронных приборов. Рассматриваются особенности квантовых компьютеров, электронных устройств на сверхпроводниках, а также приборов нанобиоэлектроники. Каждая глава снабжена контрольными вопросами и заданиями для самоподготовки.
Для студентов технических вузов, аспирантов, преподавателей и практических специалистов в области электроники.




Магнитный резонанс.
Существование магнитного момента у электрона и ядра атома приводит к возникновению в определенных условиях резонансных явлений. Явление магнитного резонанса следует рассматривать в рамках квантовой механики. Однако возможна и его наглядная интерпретация с позиций классической механики.

Если на вращающееся тело (частицу, обладающую моментом импульса) подействовать какой-либо силой (непараллельной оси), то ось вращения начнет смещаться в направлении, перпендикулярном направлению действующей силы. Это явление, называемое прецессией, хорошо известно каждому, кто запускал волчок. Ось вращения волчка под действием силы тяжести прецессирует.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Введение.
Раздел 1.Физические и технологические основы наноэлектроники.
Глава 1. Теоретические основы наноэлектроники.
11.1. Основные положения квантовой механики, используемые в наноэлектронике.
11.2. Момент импульса и спин.
11.3. Магнитный резонанс.
11.4. Туннельный переход через потенциальный барьер.
11.5. Квантовые потенциальные ямы.
11.6. Интерференционные эффекты в наноструктурах.
11.7. Элементы зонной теории и транспортные явления в наноразмерных структурах.
11.8. Сверхрешетки.
11.9. Плотность энергетических состояний в низкоразмерных структурах.
1.10. Одноэлектроника.
1.11. Физические основы спинтроники.
Контрольные вопросы и задания.
Глава 2. Физические свойства наноструктур и наноструктурированных материалов.
12.1. Классификация низкоразмерных структур и наноматериалов.
12.2. Свойства двумерных структур.
12.3. Свойства одномерных структур и материалов.
12.4. Свойства углеродных наноструктур.
12.5. Свойства наночастиц и материалов с наночастицами.
Контрольные вопросы и задания.
Глава 3. Технология создания наноматериалов и наноструктур и методы их диагностики.
13.1. Методы диагностики нанообъектов.
13.2. Эпитаксиальные методы создания тонких пленок и гетероструктур.
13.3. Технология создания квантовых точек и нитей.
13.4. Основные технологические методы создании углеродных наноматериалов.
13.5. Методы зондового сканирования.
13.6. Нанолитография.
Контрольные вопросы и задания.
Раздел 2.Наноэлектронные приборы.
Глава 4. Полупроводниковые гомо и гетероструктуры и приборы на их основе.
14.1. Электрические гомо и гетеропереходы.
14.2. Туннельные диоды.
14.3. Биполярные транзисторы.
14.4. Полевые транзисторы.
Контрольные вопросы и задания.
Глава 5. Наноэлектронные приборы на основе квантово размерных структур.
15.1. Резонансно туннельные приборы.
15.2. Одноэлектронные приборы.
15.3. Спинтронные приборы.
15.4. Полупроводниковые фотоприборы.
15.5. Полупроводниковые инжекционные лазеры и светодиоды.
Контрольные вопросы и задания.
Глава 6. Базовые логические элементы квантовых компьютеров.
16.1. Общие сведения о квантовых компьютерах.
16.2. Базовые элементы полупроводникового кремниевого квантового компьютера на основе ядерно магнитного резонанса.
16.3. Базовые элементы для квантовых компьютеров на квантовых точках.
16.4. Логические элементы квантовых компьютеров на сверхпроводниках.
Контрольные вопросы и задания.
Глава 7. Сверхпроводимость и электронные устройства на сверхпроводниках.
17.1. Основные свойства сверхпроводящего состояния.
17.2. Сверхпроводники 1 го и 2 го рода.
17.3. Джозефсоновские переходы и их модели.
17.4. Аналоговые сверхпроводниковые устройства.
17.5. Криотроны, логические элементы и элементы памяти на джозефсоновских переходах.
17.6. Электронные устройства, использующие ВТСП.
Контрольные вопросы и задания.
Глава 8. Нанобиоэлектроника.
18.1. Общие положения и термины.
18.2. Электропроводные свойства ДНК.
18.3. Приборы на основе биоэлектроники.
18.4. Конечный биоавтомат Шапиро.
Контрольные вопросы и задания.
Литература.

Купить .



Хештеги: #учебник по нанотехнологии :: #нанотехнология :: #Шишкин :: #Агеев