Физические основы электроники, учебное пособие, Смирнов Ю.А., Соколов С.В., Титов Е.В., 2013

К сожалению, на данный момент у нас невозможно бесплатно скачать полный вариант книги.

Но вы можете попробовать скачать полный вариант, купив у наших партнеров электронную книгу здесь, если она у них есть наличии в данный момент.

Также можно купить бумажную версию книги здесь.

Ссылки на файлы заблокированы по запросу правообладателей.

Links to files are blocked at the request of copyright holders.

Физические основы электроники, Учебное пособие, Смирнов Ю.А., Соколов С.В., Титов Е.В., 2013.

В книге изложены: историческая справка физики становления и развития полупроводниковой электроники, физические основы полупроводниковых и пленочных структур, физические основы построения элементной базы приборов и устройств на ее основе, их упрощенного математического анализа. Пособие содержит контрольные вопросы, задачи с решениями и рекомендуемую литературу для углубленного изучения материала. Предназначено для подготовки бакалавров, магистров по направлениям: «Электроэнергетика и электротехника», «Электроника и наноэлектроника», «Радиотехника», «Информационные технологии и системы связи», « Конструирование технологии и микросистемная техника».

Физические основы электроники, Учебное пособие, Смирнов Ю.А., Соколов С.В., Титов Е.В., 2013


ОДНА РАЗГАДКА НА ВСЕ ЗАГАДКИ.
К началу 1930-х гг. проводились интенсивные исследования полупроводниковых структур, предпринимались энергичные поиски природных и синтезированных полупроводников, интерметаллических соединений. В 1928–1930 гг. американский физик Феликс Блох и французский физик Леон Бриллюэн заложили основы зонной теории твердых тел. И вот в 1931 г. английский физик Алан Хэррис Вильсон построил квантовую теорию полупроводников, привлекая математический аппарат квантовой механики. В соответствии с этой теорией в твердом теле энергетические состояния электронов образуют так называемые зоны, разделенные промежутками запрещенных значений энергий. Верхняя зона, в которой находятся свободно перемещающиеся заряды, получила название зоны проводимости, а нижняя, в которой заряды находятся в связанном состоянии, была названа валентной зоной. Промежуточную зону между указанными зонами назвали запрещенной зоной.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Предисловие.
Введение.
Раздел 1.Физические явления и процессы в полупроводниковых структурах.
Раздел 2.Физические явления и процессы в пленочных структурах.
Раздел 3.Физические основы работы полупроводниковых приборов.
Раздел 4.Базовые схемы транзисторных каскадов и усилителей.

Купить .



По кнопкам выше и ниже «Купить бумажную книгу» и по ссылке «Купить» можно купить эту книгу с доставкой по всей России и похожие книги по самой лучшей цене в бумажном виде на сайтах официальных интернет магазинов Лабиринт, Озон, Буквоед, Читай-город, Литрес, My-shop, Book24, Books.ru.

По кнопке «Купить и скачать электронную книгу» можно купить эту книгу в электронном виде в официальном интернет магазине «Литрес», и потом ее скачать на сайте Литреса.

По кнопке «Найти похожие материалы на других сайтах» можно найти похожие материалы на других сайтах.

On the buttons above and below you can buy the book in official online stores Labirint, Ozon and others. Also you can search related and similar materials on other sites.


Дата публикации:

Хештеги: :: :: :: :: :: :: ::


Следующие учебники и книги:
Предыдущие статьи: