Физические основы кремниевой наноэлектроники, Зебрев Г.И., 2012

Физические основы кремниевой наноэлектроники, Зебрев Г.И., 2012.

  Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм.
Для преподавателей и студентов, специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов «Физические основы наноэлектроники», «Наноэлектронные технологии», «Физика микроэлектронных структур».




Общая структура наноэлектронных приборов.
Цифровая техника может быть построена на основе устройств, позволяющих модулировать ток во внешней цепи.
Принципиальная схема для широкого класса таких устройств представлена на рис. 1.1. Оно состоит из контактов внешней цепи («истока» и «стока»), активной области («канала») и управляющего электрода («затвора»). Именно такую структуру имеет МОП-транзистор — основной элемент современной цифровой техники. В принципе, роль активной области («канала») может играть не только инверсионный слой в кремниевой подложке, но и квантовая точка, углеродная нанотрубка или даже отдельная органическая молекула.

Купить .



Хештеги: #учебник по физике :: #физика :: #Зебрев