Сборник задач по полупроводниковой электронике, Бурбаева Н.В., Днепровская T.С., 2004

Сборник задач по полупроводниковой электронике, Бурбаева Н.В., Днепровская T.С., 2004.

Настоящее учебное пособие представляет собой сборник задач по курсу «Основы полупроводниковой электроники», читаемому в технических университетах и ВУЗах. Сборник разделен на 6 глав: физические основы работы р-n-перехода, биполярные транзисторы и усилители, транзисторные ключи, операционные усилители, логические элементы, полупроводниковые генераторы. В начале каждой главы даётся краткий теоретический материал по соответствующей теме и разбираются типичные задачи. В конце каждой главы приведены ответы для всех задач. В приложениях даны характеристики наиболее часто применяемых транзисторов и проведены трудоемкие математические расчеты. Задачник рассчитан на студентов, обучающихся по соответствующим специальностям, и может быть полезен преподавателям при подготовке к занятиям.




Примеры.
Определить:
1) контактную разность потенциалов φ_к р-n перехода кремниевого диода.
2) ширину р-n перехода со стороны n- и р- областей d_n и d_p а также полную ширину перехода d = d_n + d_p,
3) максимальную величину напряженности контактного поля Е_м. Известны величины: σ_n = 3,2 Ом ^-1 *см^-1 и σ_р = 4,8 Ом^-1 * см^-1 ;
μ_n = 800 см²/В * с; μ_р = 250 см²/В * с; Т = 300 К. Как изменится высота потенциального барьера ip, если к р-п переходу приложить внешнее напряжение: а) U₁ = +0,3 В? б) V₂ = -2 В?

Определить:
1) контактную разность потенциалов φк р-т перехода кремниевого диода,
2) ширину р-n перехода со стороны n- и р- областей — d_n и d_p, а также полную ширину перехода d = d_n + d_p,
3) максимальную величину напряженности контактного поля Е_м. Известны величины: σ_n = 3,2 Ом^-1 *см^-1 и σ_р = 0,64 Ом^-1 *см^-1;
μ_n = 800см²/В*с; μ_р = 400 см²/В*с; Т = 300 К. Как изменится высота потенциального барьера р, если к р-n переходу приложить внешнее напряжение: a) U₁ = +0,4 В? 6) U₂ = -4 В?

ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие
Глава 1. Свойства р-n перехода. Полупроводниковые диоды
§ 1.1. Основные свойства р-n перехода
§ 1.2. Полупроводниковые диоды
§ 1.3. Стабилитроны
Глава 2. Биполярные транзисторы и усилители на их основе
§ 2.1. Точка покоя биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (режим класса А)
§ 2.2. Расчет резисторного усилителя переменного тока
§ 2.3. Расчет трансформаторного усилителя
§ 2.4. Двухтактный эмиттерный повторитель
Глава 3. Транзисторный ключ на биполярном транзисторе и статический триггер на его основе
§ 3.1. Транзисторный ключ на биполярном транзисторе
§ 3.2. Статический триггер на биполярных транзисторах
Глава 4. Применение операционного усилителя (ОУ) для выполнения математических операций
§ 4.1. Суммирование при подаче сигналов на инвертирующий вход при заземленном неинвертирующем входе (инвертирующая схема)
§ 4.2. Суммирование при подаче сигналов на неинвертирующий вход при заземленном инвертирующем входе (неинвертирующая схема)
§ 4.3. Суммирование при подаче сигналов на оба входа ОУ
§ 4.4. Интегрирование сигналов с помощью операционных усилителей
Глава 5. Логические элементы
§ 5.1. Транзисторно-транзисторная логика ( ТТЛ)
§ 5.2. Транзисторно-транзисторная логика с диодами Шоттки (ТТЛШ)
§ 5.3. Логические элементы на комплементарных транзисторах с изолированным затвором (КМДП или КМОП)
§ 5.4. Логические элементы ТТЛ. Задачи
§ 5.5. Логические элементы на КМ011-транзисторах
Глава 6. Генераторы
§ 6.1. Блокинг-генератор
§ 6.2. Генераторы на операционных усилителях
§ 6.3. Генераторы на логических элементах
Приложение I
Приложение II
Список литературы.

Купить .



Хештеги: #задачник по электронике :: #электроника :: #Бурбаева :: #Днепровская