транзистор

Твердотельная электроника, Сычик В.А., 2021.

   Учебно-методическое пособие предназначено для студентов специальности 1-41 01 01 «Технология материалов и компонентов электронной техники». Главная цель учебно-методического пособия - ознакомить студентов с основами физики процессов в твердотельных электронных приборах, научить синтезировать эти устройства электроники и применять их для решения конкретных технических задач.

Основы микроэлектроники, Степаненко И.П., 2001.

   Рассмотрены основные аспекты микроэлектроники: физические, технологические и схемотехнические. Дается представление об уровне современной микроэлектроники, ее методах, средствах, проблемах и перспективах. Обсуждаются виды интегральных схем и схемотехника цифровых и аналоговых ИС. Во 2-м издании отражены новые фундаментальные достижения в области микроэлектроники, используемые в настоящее время на практике.
Предназначается для студентов радиотехнических и радиофизических специальностей вузов. Может быть полезна широкому кругу специалистов, связанных с созданием и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры на ИС.

Электронные приборы, Червяков Г.Г., Прохоров С.Г., Шиндор О.В., 2012.
 
   Приведены основы физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Рассмотрены физические процессы, протекающие в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике. Даны: классификации, параметры и характеристики существующих на рынке элементов твердотельной электроники, включая экспериментальные и опытные приборы микроволнового и оптического диапазонов на новых принципах и современных технологиях.
Описаны преобразовательные приборы, использующие различные эффекты в полупроводниковых материалах.
Приведены задания для самостоятельной работы и примеры инженерных расчетов с использованием эквивалентных электрических схем транзистора.
Учебное пособие по дисциплине «Электронные приборы» предназначено для направления подготовки 200100 Приборостроение.
Данное пособие может быть полезным для студентов всех инженерных направлений, в том числе и радиотехнического профиля, а также студентов физических факультетов.

Специальные материалы и субмикронные компоненты, Лабораторный практикум, Пособие, Соловьёв Я.А., Шахлевич Г.М., Петлицкий А.Н., 2022.

    Включает в себя лабораторные работы по исследованию дефектов кристаллического строения кремниевых подложек микросхем, топологии, элементного состава и электрофизических свойств субмикронных полупроводниковых структур, характеристик многослойных оптически прозрачных пленок на кремнии, а также моделированию и исследованию характеристик транзисторно-транзисторных логических микросхем и микросхем на КМОП-транзисторах.
Предназначено для закрепления теоретических знаний магистрантов, полученных ими на лекциях и в процессе самостоятельного изучения дисциплины, приобретения навыков исследования субмикронных кремниевых структур на современном оборудовании.

Генераторы высоких и сверхвысоких частот, Алексеев О.В., Головков А.А., Митрофанов А.В., 2003.

   Содержит основные вопросы теории генераторов с внешним возбуждением и автогенераторов ВЧ- и СВЧ-диапозонов. Рассмотрены методы построения и особенности работы устройств генерирования и формирования радиосигналов, выполненных на электронных лампах, биполярных и полевых транзисторах, лавинно-пролетных диодах и диодах Ганна и электронных приборах с динамическим управлением.
Для студентов радиотехнических специальностей вузов.

Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике, Денисенко В.В., 2010.

   Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП-транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, HiSIM и др., табличные модели, полунатурные модели.
Для разработчиков интегральных схем и электронной аппаратуры, разработчиков САПР СБИС, научных работников и аспирантов. Может быть полезна студентам физических специальностей университетов.

Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов, Быстрицкий А.В., Быкадорова Г.В., Пономарев К.Г., Ткачёв А.Ю., 2017.

Фрагмент из книги:
В данной работе рассматриваются основные принципы моделирования n-МОП-структур и методы получения их электрофизических параметров. Длина канала n-МОП-структур варьируется от 3 мкм до 6 мкм. Проект составлен в интерактивной графической оболочке SENTAURUS Workbench (SWB) (рис. 2.1). Проект выполняет физико-технологическое моделирование в модуле SProcess, оптимизацию расчётной сетки программными средствами модуля SNMesh, получение выходных и передаточных характеристик, крутизны, пробивного напряжения, сопротивления сток-исток в открытом состоянии в линейной области и в области насыщения, расчёт и графическое представление которых осуществляется в модулях SDevice и Inspect.

Название: Полупроводниковые приборы - Транзисторы - Справочник.

Автор: Горюнов Н.Н.

1985.

    Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых транзисторов широкого применения. Для широкого круга специалистов по электронике, автоматике, радиотехнике, измерительной технике, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.