Включает в себя лабораторные работы по исследованию дефектов кристаллического строения кремниевых подложек микросхем, топологии, элементного состава и электрофизических свойств субмикронных полупроводниковых структур, характеристик многослойных оптически прозрачных пленок на кремнии, а также моделированию и исследованию характеристик транзисторно-транзисторных логических микросхем и микросхем на КМОП-транзисторах.
Предназначено для закрепления теоретических знаний магистрантов, полученных ими на лекциях и в процессе самостоятельного изучения дисциплины, приобретения навыков исследования субмикронных кремниевых структур на современном оборудовании.
