Рассмотрено явление фотопроводимости в полупроводниках. Даны общие сведения о гетероструктурах и различных типах наноструктур. Особое внимание уделено квантовым точкам, их энергетической структуре и оптическим свойствам. Рассмотрены основные принципы работы инфракрасных детекторов, в том числе фотоприемников на квантовых точках. Дана классификация источников шумов в таких устройствах. Описаны основные параметры, определяющие рабочие характеристики инфракрасных фотодетекторов, и рассмотрены способы их расчета для фотоприемников на квантовых точках. Учебное пособие содержит описание физико-математических моделей и расчетные задания по моделированию темнового тока и обнаружительной способности фотодетекторов на квантовых точках в различных режимах работы. Пособие предназначено для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов, а также специалистов в области оптоэлектроники.
